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国产14nm爆发产能年底提拔400% 或年内试产7nm

标签:国产,爆发,产能,年底,提拔,年内,试产  2020-1-7 13:36:03  预览次

无线覆盖电线无线覆盖电缆网】讯   作为中国半导体行业最微弱但也是最紧张的环节,芯片工艺一向是国内的痛点,所以国内最大的晶圆代工厂中芯国际任重而道远。此前中芯国际已经表态14nm工艺已经试产,今年就会迎来一轮爆发,年底的产能将达到目前的3-5倍,同时今年内还有可能试产更先辈的7nm工艺。   中芯国际的14nm工艺从2015年开始研发,已经进行了多年,在2019年就已经解决技术题目了,之前有报道援引中芯国际高管的表态,称14nm工艺的良率已经达到了95%,技术成熟度照旧很不错的。   不过良率达标之后,大规模量产照旧个一道坎,这个过程必要有14nm工艺客户的支撑,精英代工是看客户需求的,客户需求高,产能才有可能建设的更大。在这一点上,中芯国际相比台积无线覆盖电、三星是有劣势的,后两家的14nm同级工艺都已经过了折旧期了,成本上风显明,中芯国际只能寄托国内的客户。   截至2019年底,中芯国际的14nm产能据悉只有3000到5000晶圆/月,不过2020年14nm产能会增加很快,年底的时候将达到15000片晶圆/月,是目前的3-5倍,最多能增加400%。   14nm之后还有改进型的12nm FinFET工艺,根据中芯国际之前介绍,该工艺相比14nm晶体管尺寸进一步缩微,功耗降低20%、性能提拔10%,错误率降低20%,预计今年上半年就会贡献收入。   再今后中芯国际透露表现还会有N+1及N+2代FinFET工艺,其中今年内有望小规模量产N+1代工艺。   只是中芯国际没有明确这里的N指代的是哪种工艺,考虑到他们很有可能会跳过10nm工艺节点,那么N+1代应该就是7nm节点了,意味着我们今年就有可能看到国产的7nm工艺。   即便中芯国际不跳过10nm节点,那么今年国内的工艺也能追赶到10nm节点,跟台积无线覆盖电、三星照旧会落后一到两代,但是已经充足先辈了。
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